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RAMpocalypse Now – Embedded-Edition 2026
DDR & NAND Speicher im Stresstest: Was jetzt zählt
Engpass bei Speichern
Was lange als reines PC- oder Serverproblem galt, trifft 2026 mit voller Wucht die Embedded-Welt. DRAM- und NAND-Hersteller verlagern ihre Kapazitäten massiv in Richtung Server, AI und HBM. Für Embedded-Systeme bedeutet das vor allem eines: steigende Preise, längere Lieferzeiten – und wachsende Risiken für laufende Serien.
Die aktuellen Marktzahlen unterstreichen diese Entwicklung deutlich. TrendForce erwartet für das verbleibende 1. Quartal 2026 Preissteigerungen von +55–60 % bei konventionellem DRAM sowie +33–38 % bei NAND. Das betrifft nicht nur neue Designs, sondern insbesondere bereits qualifizierte Serienprodukte, bei denen Redesigns teuer oder kaum realistisch sind.
Markt unter Druck
Der Hintergrund dieser Entwicklung lässt sich auf drei zentrale Punkte reduzieren. Erstens haben Server- und AI-Anwendungen klar Priorität. HBM, Server-DRAM und Enterprise-SSDs sind margenstark und werden entsprechend bevorzugt gefertigt. Klassische DDR3- und DDR4-Bausteine sowie Embedded-NAND rutschen dadurch immer weiter nach hinten.
Zweitens steigen die Preise nicht nur am Spotmarkt, sondern auch in bestehenden Verträgen. DRAMeXchange zeigt kontinuierliche Preisanhebungen. Zwar kommt es rund um das chinesische Neujahr immer wieder zu kurzen Pausen, die grundsätzliche Richtung ist jedoch eindeutig: nach oben. Drittens ist kurzfristig keine Entspannung in Sicht. Micron investiert zwar in eine neue NAND-Fab in Singapur, der Produktionsstart ist jedoch frühestens für H2/2028 geplant. Für aktuelle Embedded-Projekte bringt das keinerlei Entlastung.
DDR3 in Embedded Systemen weiterhin kritisch, DDR4 und DDR5 im Schatten des HBM-Booms
Viele etablierte Prozessorplattformen, die seit Jahren stabil in Serie laufen, benötigen weiterhin DDR3 oder DDR3L. Genau dieser Bereich wird zunehmend knapp, insbesondere bei höheren Speicherdichten. Der Grund dafür ist weniger ein plötzlicher Technologiewechsel als vielmehr eine schleichende Verlagerung: Legacy-DRAM verliert Fertigungskapazität an DDR5 und HBM.
Das führt nicht zu einem abrupten Verschwinden von DDR3, aber zu spürbaren Effekten (steigenden Preisen, geringerer Auswahl und einem erhöhten EOL-Risiko). Für langlebige Embedded-Produkte ist das ein ernstzunehmendes Thema, das frühzeitig adressiert werden sollte.
Auch bei DDR4 zeigt sich ein ähnliches Bild. Produktionslinien wandern zunehmend in Richtung Server-DRAM und HBM. DDR4 bleibt technisch gesetzt, wird jedoch beschaffungsseitig deutlich volatiler. Für Embedded-Teams heißt das: Wer frühzeitig allokiert und vertraglich absichert, verschafft sich einen klaren Vorteil. Spot-Beschaffung wird zunehmend teuer, insbesondere dann, wenn EMV-Tests, Freigaben und Validierungen bereits abgeschlossen sind und ein kurzfristiger Wechsel kaum möglich ist. TrendForce rechnet auch hier mit weiteren Preisanhebungen im Q1/2026.
NAND & Flash - Embedded Systeme stehen hinten an
Auf der NAND-Seite zeigt sich ein ähnliches Muster. Enterprise-SSDs werden priorisiert, während Client-SSDs, eMMC und industrielle NAND-Komponenten für Embedded-Boards zunehmend verdrängt werden. In der Praxis führt das zu steigenden Vertragspreisen, längeren Lead-Times und erhöhten Risiken für Serienproduktionen, vor allem im Industrial-Umfeld.
Option China - Chance mit Bedingungen
Vor diesem Hintergrund rücken chinesische Speicherhersteller stärker in den Fokus. Relevant sind hier vor allem CXMT im DRAM-Bereich sowie YMTC bei NAND, ergänzt durch Anbieter wie Longsys oder FORESEE, unter anderem für DDR3. China hält inzwischen rund 5 % Marktanteil am globalen DRAM-Markt (2024) – mit steigender Tendenz.
Technisch sind DDR3L-, DDR4L- und NAND-Komponenten aus China grundsätzlich verfügbar und qualifizierbar. Allerdings empfehlen wir hier eine deutlich erhöhte Testtiefe, etwa durch Thermal Cycling, Aging-Tests und Margining. Gleichzeitig zeigen Marktberichte, dass sich CXMT perspektivisch stärker auf DDR5 fokussieren könnte. Für langlebige Designs erhöht das das Roadmap- und EOL-Risiko, weshalb Mehrquellenstrategien zwingend notwendig werden.
Auf der NAND-Seite liefert YMTC moderne 3D-NAND-Generationen auf Augenhöhe mit etablierten Herstellern. Dennoch müssen Compliance- und Exportauflagen je nach Branche sorgfältig geprüft werden. Kurz gesagt: chinesische Speicher sind eine Option – wenn Qualifikation, Compliance und Alternativen professionell aufgesetzt sind. Für regulierte Anwendungen wie zum Beispiel die Medizintechnik sind redundante Strategien unverzichtbar.
Was Embedded Projektteams jetzt konkret tun können
Ein zentraler Hebel liegt darin, den Speicherbedarf aktiv zu reduzieren. Schlanke Images, gezielte Logs und saubere Update-Pfade sorgen dafür, dass weniger RAM- und Flash-Dichte benötigt wird. Das erhöht die Auswahl an verfügbaren Bauteilen und reduziert die Abhängigkeit vom Markt.
Embedded-Distributionen wie GELin helfen dabei, den Software-Footprint klein zu halten – ohne unnötigen Ballast. Gleichzeitig sollten Speicher-Varianten frühzeitig verbreitert und qualifiziert werden. Für DDR3 und DDR4 sind mindestens zwei freigegebene Quellen sinnvoll, bei NAND, eMMC und SSD sollte die Unterstützung mehrerer Typen bereits im Design vorgesehen werden.
Ein weiterer wichtiger Punkt sind Verträge. Rahmen- und Allokationsverträge über sechs bis 18 Monate mit klaren PCN- und Abrufregelungen sind aktuell der stabilste Weg durch den Markt. Auf der Flash-Seite lohnt es sich außerdem, die Lebensdauer bewusst zu steuern.
Wie Ginzinger Sie unterstützt
Ginzinger electronic systems begleitet seine Kundschaft und Partner entlang der gesamten Lieferkette. Vom BOM-Stresstest für DDR3, DDR4 und NAND, über Design- und Update-Strategien mit powerfail-sicheren Speicher-Layouts bis hin zu Beschaffung und Life-Cycle-Management. Ziel ist es, Serien lieferfähig zu halten, auch wenn der Markt volatil bleibt. Mit dem RAMpocalypse-BOM-Check erhalten Sie in 45 Minuten eine priorisierte Maßnahmenliste für Ihr aktuelles Design. Gemeinsam sichern wir Ihre Speicher-Roadmap für 2026/27 .
Quellen
(Stand: Februar 2026)
- TrendForce / DRAMeXchange – Q1/2026: DRAM +55–60 %, NAND +33–38 %; Priorisierung Server/AI; Client-SSD verdrängt.
- IDC – Analyse zur globalen Memory-Knappheit mit Effekten bis 2027.
- S&P Global Market Intelligence – HBM-Shift verknappt Standard-DRAM, ASP-Anstieg 2026.
- Micron (IR/EDB/Barron’s) – Neue NAND-Fab Singapur, Output ab H2/2028.
- Evertiq (DE/EN) – Zusammenfassungen zu Preisaufschlägen Q1/2026 (TrendForce).
- CXMT/YMTC (Marktstatus) – China gewinnt Anteil; DDR4→DDR5-Shift möglich;
- ISSI (DDR3/DDR3L) – Industrial-/Automotive-Flows, Longevity-Programme